|
| A. Ciências Exatas e da Terra - 3. Física - 4. Física da Matéria Condensada |
|
| CAMPO DE DEFORMAÇÃO DE PONTOS QUÂNTICOS DE InAs EM UM SUBSTRATO DE GaAs (001) POR VARREDURA RENNINGER DE RAIO-X SÍNCROTRON |
|
| Raul de Oliveira Freitas , Sérgio Luis Morelhão , A. A. Quivy e Luis Humberto Avanci |
|
| R. O. Freitas, L. H. Avanci, A. Quivy, e S. L. Morelhão
Departamento de Física Aplicada, IF-USP, São Paulo, Brasil
, UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO - USP |
|
| Dispositivos opto - eletrônicos baseados em pontos quânticos de InAs auto-organizados são muito apropriados para serem utilizados em redes metropolitanas de comunicação. O espectro de emissão desses dispositivos coincidem com valores mínimos do espectro de absorção das fibras ópticas; e esta propriedade óptica está ainda está sendo aperfeiçoada para proporcionar uma melhoria na compatibilidade entre os espectros de emissão e absorção. No entanto, o atual desafio encontra-se em aumentar a eficiência óptica dos dispositivos, o que significa aumentar a densidade de pontos quânticos opticamente ativos. Estudos recentes têm demonstrado uma redução drástica no número de estruturas opticamente ativas depois do crescimento de poucas camadas atômicas de GaAs, camada tampão, sobre os pontos quânticos. Técnicas de análise de superfície, como AFM, não são mais apropriadas para analisar a estrutura física dos pontos quânticos enterrados nas camadas inferiores do filme e, portanto, procedimentos alternativos de caracterização dessas estruturas são agora relevantes.
Varredura Renninger de Raios-X (XRS) é a mais precisa técnica conhecida de determinação do parâmetro de rede em monocristais. Contudo, na prática, mesmo em muito bons equipamentos e cuidadosos processos de alinhamento, pequenos desalinhamentos na amostra estão sempre presentes. Isso tem evitado a utilização de (XRS) no estudo de sistemas onde grande acurácia é uma questão importante. Neste trabalho é descrito um método para corrigir, de forma consistente, erros sistemáticos em (XRS), atingindo assim uma precisão de 10-5 na variação delta_a/a do parâmetro de rede. Combinando tal precisão com a baixa profundidade de penetração do campo de onda da difração Bragg-superfície, uma difração particular de ondas múltiplas, o campo médio de deformação, campo este gerado pelos pontos quânticos enterrados e pelo subseqüente crescimento da camada tampão de GaAs, pode ser observado ao longo de duas direções ortogonais. Isso tem demonstrado que, em média, a rede de GaAs está sob um campo de deformação compressivo ao longo das direções [110] e [-110]. A otimização da técnica de (XRS) e os resultados apresentados aqui fornecem uma oportunidade para estudar pontos quânticos enterrados, tão bem quanto qualquer outra nano estrutura epitaxial, através do campo de deformação gerado pelo crescimento das estruturas na rede cristalina do substrato.
|
|
|
| |
|
Trabalho de Iniciação Científica
|
|
| Palavras-chave:
nano estrutura; raios-X; opto - eletrônicos |
|
Anais da 57ª Reunião Anual da SBPC - Fortaleza, CE - Julho/2005
|