O emprego de filmes de óxidos semicondutores com propriedades eletroquímicas e fotoeletrocatalíticas tem atraído a atenção dos pesquisadores devido à possibilidade do uso desses filmes em diversas áreas, tais como microeletrônica, eletrocatálise, eletroquímica fundamental e eletroanalítica. Particularmente, diversos estudos empregando filmes de TiO₂ depositados sobre diferentes superfícies vêm sendo realizados, visando aplicações práticas em fotocatálise e eletroquímica, onde se verifica que o processo de síntese influencia diretamente na morfologia do filme. Portanto, o objetivo deste trabalho consiste na síntese do filme de TiO₂ pelo processo sol-gel e caracterização morfológica via microscopia eletrônica.

Os filmes de TiO₂ foram obtidos a partir de uma emulsão preparada com 7% de TiO₂ (Merck), 1% de carbômero (Civiacco), 0,5% de NaOH (Merck) em 100 mL de água destilada, que sofreu processo de agitação mecânica durante 1 hora. Posteriormente, a emulsão foi depositada sobre os substratos de níquel e, então, secada a 50°C por 30 min. em estufa. Em seguida, esses filmes foram sinterizados a diferentes temperaturas (100, 200, 300, 400 e 500ºC) por 1 hora. Após este ensaio, as superfícies foram avaliadas utilizando-se da técnica de microscopia eletrônica de varredura (MEV).

As micrografias obtidas com MEV para os filmes sinterizados na faixa de temperaturas de 100-500ºC mostraram que, em geral, os filmes são homogêneos (bem definidos e agrupados), apresentando grãos de aproximadamente 0,5 mm. Os resultados obtidos mostraram que a temperatura de sinterização dos filmes influencia diretamente em sua morfologia.

Em função do crescente aumento de temperatura de sinterização, algumas fissuras foram identificadas nos filmes secos a 400 e 500ºC. Acreditamos ser decorrente da diferença de coeficientes de dilatação entre o substrato níquel e o filme depositado. É importante frisar que, o filme de TiO₂ formado sobre superfície condutora apresenta alta resistência mecânica.