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CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA POR ESPECTROSCOPIA DE IMPEDÂNCIA A ALTA TEMPERATURA DA CERÂMICA DE KSR2FENB4O15-δ
Robson Lopes Grosso1 Marcos Augusto Lima Nobre1 Silvania Lanfredi1, 2
1. Departamento de Física, Química e Biologia / FCT-UNESP 2. Profa. Dra.
INTRODUÇÃO:Materiais óxidos com estrutura tipo tetragonal tungstênio bronze (TTB), similar aos óxidos KxWO3 e NaxWO3 (x<1), têm encontrado aplicações em tecnologia de ponta, seja como materiais monocristalinos ou policristalinos. Estes compostos têm atraído interesse nos setores científicos e técnico-industriais, atuando como materiais para modulação de laser e multiplicidade de freqüência, geração de segundo harmônico, aplicações em detectores piroelétricos e transdutores piezelétricos. Alguns óxidos policátions da família TTB têm encontrado crescentes aplicações em telecomunicações em microondas, satélites e outros dispositivos relacionados, em particular na área de “wireless telecommunication”.
Embora vários materiais da família TTB têm sido investigados, somente nos últimos anos a demanda por materiais isentos de chumbo tem aumentado, devido à grande expectativa internacional do avanço às restrições a componentes contendo metais pesados na sua formulação.
Neste trabalho foi investigado o comportamento elétrico de uma nova cerâmica de estrutura TTB com estequiometria KSr2FeNb4O15-δ, “lead free”, preparada por moagem de alta eficiência. As propriedades elétricas do KSr2FeNb4O15-δ foram investigadas utilizando-se a técnica de espectroscopia de impedância.METODOLOGIA:Pós monofásicos e nanométricos de KSr2FeNb4O15-δ foram preparados por mistura de óxidos e carbonatos em um moinho mecânico de alta energia do tipo atritor. Os reagentes de partida foram: Nb2O5.4H2O, K2CO3, SrCO3 e Fe2O3. Obteve-se a fase KSr2FeNb4O15-δ após calcinação do pó precursor a 1100 °C por 10 h em fluxo de O2. Em seguida, realizou-se a sinterização do pó a 1250 °C por 2 h, obtendo-se uma densidade relativa em torno de 95 % da densidade teórica.
A caracterização elétrica foi realizada por espectroscopia de impedância no intervalo de freqüência de 5 Hz a 13 MHz. A deposição dos eletrodos em faces opostas das pastilhas foi realizada com a aplicação de tinta de platina. As medidas foram realizadas a partir da temperatura ambiente até 690 ºC, utilizando-se um analisador de impedância Alpha N da Novocontrol. As resistências do grão e contorno de grão foram obtidas a partir do ajuste dos diagramas de impedância, utilizando-se o programa Equivcrt. A espectroscopia de impedância consiste em submeter a amostra a ser analisada a uma tensão senoidal de baixa amplitude e medir a corrente resultante desta perturbação. Essa técnica permite a separação dos elementos resistivos e capacitivos de materiais policristalinos: grão, contorno de grão e eletrodos.RESULTADOS:Os diagramas de impedância (oposto da parte imaginária (-Z) em função da parte real (Z)) mostraram a presença de um único semicírculo na região de alta freqüência em temperaturas abaixo de 395 °C. A partir de 395 °C observa-se a definição de um segundo semicírculo. O primeiro semicírculo, posicionado na região de alta freqüência (> 1 kHz), representa a contribuição do grão e o segundo semicírculo, obtido a baixa freqüência (< 1 kHz), representa a contribuição do contorno de grão. Todos semicírculos apresentaram um certo grau de descentralização com ângulo de depressão, ao invés de um semicírculo centrado sobre o eixo das abscissas. Esta resposta elétrica obedece ao formalismo de Cole-Cole. Neste formalismo, um semicírculo descentralizado representa tipicamente um fenômeno com uma distribuição de tempos de relaxação.
Uma diminuição acentuada da resistividade do grão, em torno de 6 ordens de magnitude, foi observada com o aumento da temperatura, no intervalo investigado entre 25 °C e 690 °C. Este comportamento é típico de termistor com coeficiente de temperatura negativo da resistência (NTCR).
Os coeficientes de temperatura da resistência (a) calculados a 25 °C e 690 °C são iguais a -0,515 °C-1 e -0,000677 °C-1, respectivamente.CONCLUSÕES:A partir da espectroscopia de impedância foi possível investigar as propriedades elétricas do grão e contorno de grão do KSr2FeNb4O15-δ. Este material apresenta um comportamento típico de semicondutor. A contribuição do contorno de grão para a resposta elétrica é observada a partir de 395 °C. A análise da resistência em função da temperatura mostrou que o grão de KSr2FeNb4O15-δ apresenta propriedades termistoras, com coeficiente de temperatura negativo da resistência (NTCR).
Instituição de fomento: FAPESP nº 07/07421-0
Trabalho de Iniciação Científica
Palavras-chave: KSr2FeNb4O15-δ, tetragonal tungstênio bronze, termistor NTCR
E-mail para contato: robson_lopes01@hotmail.com
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