61ª Reunião Anual da SBPC

B. Engenharias - 1. Engenharia - 8. Engenharia Elétrica

CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS ORGÂNICOS

João Paulo Silveira dos Santos 1 Jussara Angélica Durães 2 Bruno Jorge Oliveira Sousa 1 Artemis Marti Ceschin 1 José Camargo da Costa 1

1. Departamento de Engenharia Elétrica – Universidade de Brasília / UnB 2. Instituto de Química –Universidade de Brasília / UnB

INTRODUÇÃO:

A evolução da área de eletrônica orgânica tem chamado atenção para novas pesquisas que visam o desenvolvimento de dispositivos feitos a partir de materiais orgânicos, a fim de criar alternativas mais baratas e eficientes que os atuais componentes inorgânicos. Assim, a caracterização desses dispositivos tem o objetivo de determinar suas características elétricas por meio de suas curvas IxV. O nosso trabalho buscou observar o comportamento do transistor monoelétron (SET) feito de material orgânico.

METODOLOGIA:

Para a caracterização elétrica dos dispositivos foi utilizada a unidade programável Keithley 2400. Para realizar as medidas posicionávamos as agulhas medidoras nos locais determinados e realizávamos os testes afim de fazer o levantamento das curvas IxV do dispositivo. A aquisição dos dados foi feita por softwares especialmente desenvolvidos em Labview. A estrutura do transistor monoelétron (SET) consiste basicamente de um sanduíche de PEDOT/PSS e um filme isolante de PMMA no centro. Para a sustentação mecânica, a estrutura foi construída sobre uma superfície flexível de poliéster sem nenhuma preparação especial. O eletrodo da base e o filme isolante foram depositados pelo processo de spin coating e os eletrodos superiores foram feitos por meio de gotas de solução de PEDOT/PSS nos locais desejados.

RESULTADOS:

A caracterização dos diodos que compõem o transistor monoelétron resultaram em curvas assimétricas para a polarização direta e reversa, o comportamento das curvas IxV desses diodos estavam diretamente ligados as espessuras dos eletrodos denso ou fino. Para o mais fino foi observado que a corrente aumenta a medida que a polarização aumenta independente se está diretamente ou reversamente polarizado. No caso do eletrodo mais espesso aparece uma corrente a partir de 6V e aumenta rapidamente. Observamos que o comportamento desses dispositivos é característico de um retificador. A curva IxV do transistor resultou em uma oscilação variável da corrente de dreno relacionada a corrente de porta. Ao analisar essa variação por meio da FFT (Fast Fourier Transform) comprovamos que esse comportamento não era causado por ruído.

CONCLUSÃO:

As medidas feitas comprovaram o funcionamento dos dispositivos eletrônicos orgânicos e chegamos a conclusão que o comportamento elétrico desses dispositivos está relacionado com a espessura dos eletrodos.

Instituição de Fomento: CNPQ, Instituto NAMITEC/Milênio, PIC/UnB

Palavras-chave: caracterização elétrica IxV, eletrônica orgânica, Transistor monoelétron orgânico.